摘要：2014年11月7日下午，在第十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2014)超越照明及其创新应用分会上，广东凯发k8国际首页登录电器股份有限公司产品经理唐勇作了题为低热阻高可靠性无助焊剂倒装芯片焊接封装技术研究的报告。
倒装芯片采用共晶焊封装技术(AuSn/Fluxless Eutectic Bonding)免去了焊线的环节，芯片电极与散热基板之间直接通过更稳定的金属凸点焊球相链接，无需通过蓝宝石进行散热。
由于芯片的金属电极直接与金属界面接触，大幅度的减少了导线长度，增加了导线横截面积，这样导热系数更高，热阻�。�LED电极导线至系统电路板的散热效率将大幅提升，打破了从芯片到基板的散热系统中的热瓶颈。
2014年11月7日下午，在第十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2014)超越照明及其创新应用分会上，广东凯发k8国际首页登录电器股份有限公司产品经理唐勇作了题为低热阻高可靠性无助焊剂倒装芯片焊接封装技术研究的报告。
唐勇表示，由于没有金线的阻碍，降低了LED灯珠的失效风险，也为透镜的设计提供了更大的空间，并且可实现超薄封装，大大提高了灯珠的可靠性，使它能够更好的适用于对电流耐受程度要求较高的户外大功率封装产品中。
相较于传统封装结构，共晶焊封装技术可实现单芯片及多芯片模组的无金线封装，保证了产品的高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好和超薄封装等诸多优点，在车灯、室内/室外照明以及相机闪光灯等领域具有广阔的应用空间。对于抢占大功率、高亮度LED市场的制高点具有十分重要的意义。优异的封装质量使其成为未来倒装芯片封装技术的主流发展趋势。
唐勇表示,将倒装焊技术应用于大功率LED光源生产，产品的可靠性测试结果表现优异。常温大电流测试结果：1000mA恒流驱动，点亮6000小时的光通量衰减小于3%。采用共晶焊技术的LED光源与传统封装光源相比，具有热阻低，电压低，大电流密度光效高的特点，电流从350mA提高到700mA，亮度提升1.78倍。SEM和X-ray对比显示ETI光源的Au电极接触紧密，接触层无孔洞，散热面积更大，导热率优于AuSn共晶焊倒装光源;综合研究表明倒装LED光源在应用上有其独特的潜力和优势。
他认为，未来，LED封装结构的发展趋式主要有三方面：第一，向多功能减化应用工艺方向发展;第二，向集成封装结合倒装芯片的方向发展;第三，CSB封装、远离式封装技术支持，可提高性价比。多芯片集成化、小型化、智能化和标准化将成为LED封装技术发展的四个方向。基于倒装芯片LED自身的优势，在今后的研发过程中向小功率方向上转变可具有较大的市场竞争优势，获得更多的发展空间。
来源：中国半导体照明网
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